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木村俊雄，築地直樹，吉田順自，木村直樹，愛清 武，伊地知哲朗，池上嘉一

概要

光アンプの励起用光源として使用される1480 nm半導体レーザモジュールにおいて，半導体レーザ素子の最適化，及びモジュールの熱設計の見直しにより，ケース温度70℃，光ファイバ出力250 mWでの駆動を実現した。

全文（PDF 317KB）

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